ในโพสต์นี้เราจะพูดถึงวงจรเซนเซอร์ความใกล้เคียงพื้นฐาน 3 แบบพร้อมวงจรแอพพลิเคชั่นมากมายและคุณสมบัติโดยละเอียดของวงจร วงจรเซ็นเซอร์ความใกล้ชิดแบบ capacitive สองตัวแรกใช้แนวคิดที่ใช้ IC 741 และ IC 555 อย่างง่ายในขณะที่วงจรสุดท้ายมีความแม่นยำมากกว่าเล็กน้อยและรวมเอาการออกแบบตาม IC PCF8883 ที่แม่นยำ

1) ใช้ IC 741

วงจรที่อธิบายด้านล่างนี้สามารถกำหนดค่าให้เปิดใช้งานรีเลย์หรือโหลดที่เหมาะสมเช่น a ก๊อกน้ำ ทันทีที่ร่างกายมนุษย์หรือมือเข้าใกล้แผ่นเซ็นเซอร์ capacitive ด้วยเงื่อนไขเฉพาะระยะใกล้มือก็เพียงพอที่จะเรียกเอาท์พุทวงจรเท่านั้น

IC 741 เครื่องตรวจจับความใกล้เคียงวงจรเซ็นเซอร์สัมผัสแบบ capacitive

อินพุตอิมพีแดนซ์สูงกำหนดโดย Q1 ซึ่งเป็นทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามปกติเช่น 2N3819 แอมป์มาตรฐาน 741 op ใช้ในรูปแบบของสวิตช์ระดับแรงดันไฟฟ้าที่ละเอียดอ่อนซึ่งต่อมาจะขับเคลื่อนบัฟเฟอร์ปัจจุบัน Q2 ซึ่งเป็นทรานซิสเตอร์สองขั้ว pnp กระแสปานกลางจึงเปิดใช้งานรีเลย์ที่อาจคุ้นเคยกับการสลับอุปกรณ์เช่นสัญญาณเตือน faucet เป็นต้น .

ในขณะที่วงจรอยู่ในสภาวะสแตนด์บายไม่ได้ใช้งานแรงดันไฟฟ้าที่ขา 3 ของแอมป์ออปจะคงที่ที่มากกว่าระดับแรงดันไฟฟ้าขา 2 โดยการปรับค่า VR1 ที่ตั้งไว้ล่วงหน้าอย่างเหมาะสม

ทำให้แน่ใจว่าแรงดันไฟฟ้าที่ขาเอาต์พุต 6 จะสูงทำให้ทรานซิสเตอร์ Q2 และรีเลย์ยังคงปิดอยู่

เมื่อนำนิ้วเข้ามาใกล้กับแผ่นเซ็นเซอร์หรือสัมผัสเบา ๆ การลดอคติตรงข้าม VGS จะเพิ่มกระแสระบายของ FET Q1 และผลที่ตกคร่อมแรงดันไฟฟ้า R1 จะลดแรงดันแอมป์ขา 3 ที่ต่ำกว่าแรงดันไฟฟ้าที่มีอยู่ที่ พิน 2.

สิ่งนี้จะส่งผลให้แรงดันพิน 6 ตกลงและส่งผลให้รีเลย์เปิดโดยใช้ Q2 ตัวต้านทาน R4 อาจถูกกำหนดเพื่อให้รีเลย์ปิดอยู่ภายใต้สภาวะปกติโดยพิจารณาว่าแรงดันไฟฟ้าชุดปิดบวกเล็กน้อยอาจพัฒนาที่เอาต์พุตของแอมป์แอมป์ขา 6 แม้ว่าแรงดันไฟฟ้าขา 3 จะต่ำกว่าแรงดันขา 2 ในก็ตาม สถานะนิ่ง (ไม่ได้ใช้งาน) ปัญหานี้สามารถแก้ไขได้ง่ายๆโดยการเพิ่ม LED เข้ากับฐาน Q2

2) การใช้ IC 555

โพสต์นี้อธิบายถึงวงจรเซ็นเซอร์ความใกล้ชิดแบบ capacitive ที่ใช้ IC 555 ซึ่งอาจใช้สำหรับตรวจจับผู้บุกรุกที่อยู่ใกล้วัตถุที่มีราคาเช่นรถของคุณ Max Payne เป็นผู้ร้องขอความคิด

คำขอวงจร

สวัสดี Swagatam

กรุณาโพสต์วงจร Capacitive / Body / Sensitive ที่สามารถใช้กับจักรยานได้ อุปกรณ์ดังกล่าวที่เห็นในระบบรักษาความปลอดภัยของรถเมื่อมีคนเข้ามาใกล้รถมากขึ้นหรือระยะใกล้ชิด 1 นิ้วจะทำให้สัญญาณเตือนเป็นเวลา 5 วินาที

สัญญาณเตือนประเภทนี้ทำงานอย่างไรสัญญาณเตือนจะเรียกเฉพาะเมื่อมีคนเข้ามาใกล้เท่านั้น (พูดว่า 30 ซม.) พวกเขาใช้เซ็นเซอร์ประเภทใด

แผนภูมิวงจรรวม

เอื้อเฟื้อภาพวงจร: Elektor Electronics

การออกแบบ

วงจรเซ็นเซอร์ capacitive อาจเข้าใจได้ด้วยความช่วยเหลือของคำอธิบายต่อไปนี้:

IC1 นั้นมีสายเป็น Astable แต่ไม่รวมตัวเก็บประจุจริง ที่นี่จะมีการแนะนำแผ่น capacitive และรับตำแหน่งของตัวเก็บประจุที่จำเป็นสำหรับการทำงานของ astable

ต้องสังเกตว่าแผ่น capacitive ขนาดใหญ่จะให้การตอบสนองที่ดีขึ้นและเชื่อถือได้มากจากวงจร

เนื่องจากวงจรมีจุดมุ่งหมายเพื่อทำงานเป็นระบบรักษาความปลอดภัยการแจ้งเตือนความใกล้ชิดของตัวถังรถจึงสามารถใช้ตัวถังเป็นแผ่นคาปาซิทีฟได้และมีขนาดใหญ่ตามปริมาตรจึงเหมาะกับการใช้งานค่อนข้างดี

เมื่อรวมแผ่นเซ็นเซอร์ความใกล้ชิดแบบ capacitive IC555 จะเข้าสู่ตำแหน่งสแตนด์บายสำหรับการทำงานที่ชาญฉลาด

ในการตรวจจับองค์ประกอบ 'กราวด์' ในระยะใกล้ซึ่งอาจเป็นมือของมนุษย์ความจุที่ต้องการได้รับการพัฒนาบนพิน 2/6 และกราวด์ของ IC

ข้างต้นส่งผลให้เกิดการพัฒนาความถี่ในทันทีเมื่อ IC เริ่มสั่นในโหมด astable

สัญญาณ astable ได้มาที่ pin3 ของ IC ซึ่ง 'รวม' อย่างเหมาะสมด้วยความช่วยเหลือของ R3, R4, R5 พร้อมกับ C3 ---- C5

ผลลัพธ์ 'บูรณาการ' จะถูกป้อนให้กับเวที opamp ที่เป็นตัวเปรียบเทียบ

ตัวเปรียบเทียบที่สร้างขึ้นรอบ ๆ IC2 ตอบสนองต่อการเปลี่ยนแปลงนี้จาก IC1 และแปลเป็นแรงดันไฟฟ้ากระตุ้นการทำงาน T1 และรีเลย์ที่เกี่ยวข้อง

รีเลย์อาจต่อสายด้วยไซเรนหรือแตรเพื่อเตือนภัยที่จำเป็น

อย่างไรก็ตามในทางปฏิบัติจะเห็นได้ว่า IC1 สร้างพัลส์แรงดันไฟฟ้าบวกถึงลบสูงสุดในทันทีเมื่อตรวจพบกราวด์เบ้าฟันใกล้กับจาน

IC2 ตอบสนองต่อการเพิ่มขึ้นอย่างกะทันหันของแรงดันไฟฟ้าสูงสุดสำหรับการกระตุ้นที่ต้องการ

หากตัวเก็บประจุยังคงอยู่ที่บริเวณใกล้เคียงของเพลตแรงดันไฟฟ้าความถี่สูงสุดที่พิน 3 จะหายไปที่ระดับ aa ซึ่ง IC2 อาจตรวจไม่พบทำให้ไม่มีการใช้งานหมายความว่ารีเลย์ยังคงทำงานอยู่ในทันทีที่มีการนำองค์ประกอบ capacitive มา หรือถอดออกใกล้ผิวจาน

P1, P2 อาจถูกปรับเพื่อให้ได้ความไวสูงสุดจากแผ่นคาปาซิทีฟ
สำหรับการรับแอคชั่นการล็อคเอาต์พุตของ IC2 อาจรวมเข้ากับวงจรฟลิปฟล็อปเพิ่มเติมทำให้วงจรเซ็นเซอร์ความใกล้เคียงแบบคาปาซิทีฟมีความแม่นยำและตอบสนองได้ดีมาก

3) การใช้ IC PCF8883

IC PCF8883 ได้รับการออกแบบให้ทำงานเหมือนกับสวิตช์เซ็นเซอร์ความใกล้ชิดแบบ capacitive ที่มีความแม่นยำโดยใช้เทคโนโลยีดิจิทัลที่เป็นเอกลักษณ์ (จดสิทธิบัตร EDISEN) เพื่อตรวจจับความแตกต่างน้อยที่สุดของความจุรอบ ๆ แผ่นตรวจจับที่ระบุ

คุณสมบัติหลัก

คุณสมบัติหลักของเซ็นเซอร์ความใกล้ชิดแบบ capacitive นี้สามารถศึกษาได้ตามที่ระบุด้านล่าง:

คุณสมบัติ IC PCF8883 ของเซ็นเซอร์สัมผัสและพร็อกซิมิตีแบบพิเศษนี้

ภาพต่อไปนี้แสดงการกำหนดค่าภายในของ IC PCF8883

IC ไม่ได้พึ่งพาแบบดั้งเดิม โหมดความจุแบบไดนามิกของการตรวจจับ ค่อนข้างตรวจจับการเปลี่ยนแปลงของความจุสถิตโดยใช้การแก้ไขอัตโนมัติผ่านการปรับเทียบอัตโนมัติอย่างต่อเนื่อง

โดยพื้นฐานแล้วเซ็นเซอร์อยู่ในรูปแบบของฟอยล์ที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าขนาดเล็กซึ่งอาจรวมเข้าโดยตรงกับพินที่เกี่ยวข้องของ IC สำหรับการตรวจจับแบบคาปาซิทีฟที่ตั้งใจไว้หรืออาจถูกยกเลิกไปเป็นระยะทางที่ไกลขึ้นผ่านสายโคแอกเซียลเพื่อให้สามารถดำเนินการตรวจจับความใกล้เคียงแบบ capacitive ระยะไกลได้อย่างแม่นยำและมีประสิทธิภาพ

ตัวเลขต่อไปนี้แสดงถึงรายละเอียด pinout ของ IC PCF8883 การทำงานโดยละเอียดของพินต่างๆและวงจรในตัวสามารถเข้าใจได้ด้วยประเด็นต่อไปนี้:

รายละเอียด Pinout ของ IC PCF8883

Pinout IN ซึ่งควรจะเชื่อมต่อกับฟอยล์ตรวจจับแบบ capacitive ภายนอกนั้นเชื่อมโยงกับเครือข่าย RC ภายในของ ICs

เวลาในการปลดปล่อยที่กำหนดโดย 'tdch' ของเครือข่าย RC จะถูกเปรียบเทียบโดยเวลาในการปลดปล่อยของเครือข่าย in-bult RC ที่สองซึ่งแสดงเป็น 'tdchimo'

เครือข่าย RC สองเครือข่ายผ่านการชาร์จเป็นระยะโดย VDD (INTREGD) ผ่านเครือข่ายสวิตช์ที่เหมือนกันและซิงโครไนซ์สองเครือข่ายจากนั้นปล่อยออกมาด้วยความช่วยเหลือของตัวต้านทานต่อ Vss หรือกราวด์

อัตราที่ดำเนินการคายประจุนี้ถูกควบคุมโดยอัตราการสุ่มตัวอย่างที่แสดงโดย 'fs'

ในกรณีที่เห็นว่าความต่างศักย์ลดลงต่ำกว่า VM แรงดันอ้างอิงที่ตั้งไว้ภายในเอาต์พุตที่สอดคล้องกันของตัวเปรียบเทียบมีแนวโน้มที่จะต่ำ ระดับตรรกะที่เป็นไปตามตัวเปรียบเทียบจะระบุตัวเปรียบเทียบที่แน่นอนที่สามารถสลับได้ก่อนหน้าอื่น

และหากตัวเปรียบเทียบด้านบนถูกระบุว่าเริ่มทำงานก่อนผลลัพธ์นี้จะมีการแสดงผลพัลส์บน CUP ในขณะที่หากตรวจพบว่าตัวเปรียบเทียบด้านล่างถูกเปลี่ยนก่อนที่จะเป็นตัวเปรียบเทียบบนพัลส์จะเปิดใช้งานที่ CDN

พัลส์ข้างต้นมีส่วนร่วมในการควบคุมระดับประจุเหนือ Ccpc ตัวเก็บประจุภายนอกที่เกี่ยวข้องกับ CPC พิน เมื่อพัลส์ถูกสร้างขึ้นบน CUP Ccpc จะถูกเรียกเก็บเงินผ่าน VDDUNTREGD ในช่วงเวลาที่กำหนดซึ่งทำให้เกิดศักยภาพที่เพิ่มขึ้นใน Ccpc

ค่อนข้างอยู่ในบรรทัดเดียวกันเมื่อพัลส์แสดงผลที่ CDN Ccpc จะเชื่อมโยงกับอุปกรณ์ซิงก์ปัจจุบันกับกราวด์ซึ่งจะปล่อยตัวเก็บประจุทำให้มีศักยภาพในการยุบตัว

เมื่อใดก็ตามที่ความจุที่พิน IN สูงขึ้นมันจะเพิ่มเวลาในการคายประจุ tdch ซึ่งทำให้แรงดันไฟฟ้าของตัวเปรียบเทียบที่เกี่ยวข้องตกลงในเวลาที่นานขึ้นตามลำดับ เมื่อสิ่งนี้เกิดขึ้นผลลัพธ์ของตัวเปรียบเทียบมีแนวโน้มที่จะลดลงซึ่งจะทำให้เกิดพัลส์ที่ CDN บังคับให้ CCP ตัวเก็บประจุภายนอกปล่อยออกมาในระดับที่เล็กกว่า

นี่หมายความว่าตอนนี้ CUP สร้างพัลส์ส่วนใหญ่ซึ่งทำให้ CCP ชาร์จได้มากขึ้นโดยไม่ต้องทำตามขั้นตอนใด ๆ เพิ่มเติม

ด้วยแรงบันดาลใจของสิ่งนี้คุณลักษณะการสอบเทียบที่ควบคุมแรงดันไฟฟ้าอัตโนมัติของ IC ซึ่งอาศัยการควบคุมกระแสของอ่างล้างจาน 'ism' ที่เกี่ยวข้องกับพิน IN ทำให้ความพยายามในการปรับสมดุลของเวลาในการปล่อย tdch โดยอ้างอิงกับเวลาปล่อยที่ตั้งไว้ภายใน tdcmef

แรงดันไฟฟ้าทั่ว Ccpg ถูกควบคุมในปัจจุบันและมีหน้าที่รับผิดชอบในการปลดปล่อยความจุใน IN ค่อนข้างเร็วเมื่อใดก็ตามที่ตรวจพบศักยภาพของ CCP เพิ่มขึ้น สิ่งนี้จะปรับสมดุลของความจุที่เพิ่มขึ้นอย่างสมบูรณ์แบบบนขาอินพุต IN

ผลกระทบนี้ก่อให้เกิดระบบติดตามวงปิดซึ่งจะตรวจสอบและมีส่วนร่วมอย่างต่อเนื่องในการปรับสมดุลเวลาการปล่อย tdch โดยอัตโนมัติโดยอ้างอิงถึง tdchlmf

สิ่งนี้ช่วยแก้ไขความแตกต่างของความจุที่ซบเซาใน IN pinout ของ IC ในระหว่างการชาร์จอย่างรวดเร็วเช่นเมื่อนิ้วของมนุษย์เข้าหาฟอยล์ตรวจจับอย่างรวดเร็วการชดเชยที่กล่าวถึงอาจไม่เกิดขึ้นในสภาวะสมดุลความยาวของระยะเวลาการคายประจุจะไม่แตกต่างกันทำให้พัลส์ผันผวนสลับกันระหว่าง CUP และ CDN

นี่หมายความว่าด้วยค่า Ccpg ที่ใหญ่กว่าอาจมีการเปลี่ยนแปลงแรงดันไฟฟ้าที่ค่อนข้าง จำกัด สำหรับแต่ละพัลส์สำหรับ CUP หรือ CDN

ดังนั้นซิงก์กระแสไฟฟ้าภายในจึงให้การชดเชยที่ช้าลงซึ่งจะช่วยเพิ่มความไวของเซ็นเซอร์ ในทางตรงกันข้ามเมื่อ CCP ลดลงจะทำให้ความไวของเซ็นเซอร์ลดลง

จอภาพเซนเซอร์ในตัว

ขั้นตอนการนับในตัวจะตรวจสอบทริกเกอร์เซ็นเซอร์และนับพัลส์ใน CUP หรือ CDN ตามลำดับตัวนับจะรีเซ็ตทุกครั้งที่ทิศทางพัลส์ข้าม CUP ไปยัง CDN สลับหรือเปลี่ยนแปลง

ขาเอาต์พุตที่แสดงเป็น OUT จะได้รับการกระตุ้นก็ต่อเมื่อตรวจพบจำนวนพัลส์ที่เพียงพอใน CUP หรือ CDN ระดับการรบกวนหรือการโต้ตอบที่ช้าลงในเซ็นเซอร์หรือความจุอินพุตไม่ก่อให้เกิดผลกระทบใด ๆ ต่อการกระตุ้นเอาต์พุต

ชิปบันทึกเงื่อนไขหลายประการเช่นรูปแบบการชาร์จ / การคายประจุที่ไม่เท่ากันเพื่อให้มีการแสดงผลการสลับเอาต์พุตที่ยืนยันและการตรวจจับปลอมจะถูกกำจัด

การเริ่มต้นขั้นสูง

IC ประกอบด้วยวงจรเริ่มต้นขั้นสูงซึ่งช่วยให้ชิปเข้าสู่สภาวะสมดุลได้ค่อนข้างเร็วทันทีที่เปิดสวิตช์แหล่งจ่ายไป

ภายในพิน OUT ถูกกำหนดค่าเป็นท่อระบายน้ำแบบเปิดซึ่งเริ่มต้นพินเอาต์ด้วยลอจิกสูง (Vdd) ที่มีกระแสสูงสุด 20mA สำหรับโหลดที่ต่อพ่วง ในกรณีที่เอาท์พุทรับโหลดเกิน 30mA แหล่งจ่ายไฟจะถูกตัดการเชื่อมต่อทันทีเนื่องจากคุณสมบัติการป้องกันไฟฟ้าลัดวงจรซึ่งจะถูกกระตุ้นทันที
พินนี้ยังเข้ากันได้กับ CMOS ดังนั้นจึงเหมาะสำหรับโหลดที่ใช้ CMOS หรือขั้นตอนวงจรทั้งหมด

ดังที่ได้กล่าวไว้ก่อนหน้านี้พารามิเตอร์อัตราการสุ่มตัวอย่าง 'fs' เกี่ยวข้องกับตัวเองเป็น 50% ของความถี่ที่ใช้กับเครือข่ายเวลา RC อัตราการสุ่มตัวอย่างสามารถกำหนดได้ในช่วงที่กำหนดไว้ล่วงหน้าโดยกำหนดค่า CCLIN อย่างเหมาะสม

“ฟังก์ชันการถ่ายโอนตัวกรองความถี่สูงที่ใช้งานอยู่ ”

ความถี่ออสซิลเลเตอร์แบบมอดูเลตภายในที่ 4% ผ่านสัญญาณสุ่มหลอกจะยับยั้งโอกาสของการรบกวนจากความถี่ AC โดยรอบ

โหมดตัวเลือกสถานะเอาต์พุต

IC ยังมี 'โหมดการเลือกสถานะเอาต์พุต' ที่มีประโยชน์ซึ่งสามารถใช้สำหรับการเปิดใช้งานพินเอาต์พุตให้อยู่ในสถานะ monostable หรือ bistable เพื่อตอบสนองต่อการรับรู้ capacitive ของพินอินพุต แสดงผลในลักษณะต่อไปนี้:

โหมด # 1 (เปิดใช้งาน TYPE ที่ Vss): เอาต์พุตจะแสดงผลเป็นแอ็คทีฟสำหรับ sp ตราบเท่าที่อินพุตอยู่ภายใต้อิทธิพลของ capacitive ภายนอก

โหมด # 2 (เปิดใช้งาน TYPE ที่ VDD / NTRESD): ในโหมดนี้เอาต์พุตจะเปิดและปิดสลับกัน (สูงและต่ำ) เพื่อตอบสนองต่อการโต้ตอบแบบ capacitive ที่ตามมาในฟอยล์เซ็นเซอร์

โหมด # 3 (เปิดใช้งาน CTYPE ระหว่าง TYPE และ VSS): ด้วยเงื่อนไขนี้ขาเอาต์พุตจะถูกทริกเกอร์ (ต่ำ) สำหรับระยะเวลาที่กำหนดไว้ล่วงหน้าเพื่อตอบสนองต่ออินพุตการตรวจจับคาปาซิทีฟแต่ละรายการซึ่งระยะเวลาเป็นสัดส่วนกับค่าของ CTYPE และสามารถเปลี่ยนแปลงได้ ด้วยอัตรา 2.5ms ต่อความจุ nF

ค่ามาตรฐานสำหรับ CTYPE สำหรับการหน่วงเวลาประมาณ 10ms ในโหมด # 3 อาจเป็น 4.7nF และค่าสูงสุดที่อนุญาตสำหรับ CTYPE คือ 470nF ซึ่งอาจส่งผลให้มีความล่าช้าประมาณหนึ่งวินาที การแทรกแซงหรืออิทธิพลใด ๆ ที่เกิดขึ้นอย่างกะทันหันในช่วงเวลานี้จะถูกละเว้น

วิธีใช้วงจร

ในส่วนต่อไปนี้เราจะเรียนรู้การกำหนดค่าวงจรทั่วไปโดยใช้ IC เดียวกันซึ่งสามารถนำไปใช้กับผลิตภัณฑ์ทั้งหมดที่ต้องการรีโมทที่มีความแม่นยำ การดำเนินการกระตุ้นความใกล้ชิด .

เซ็นเซอร์ความใกล้ชิดแบบ capacitive ที่นำเสนออาจใช้งานได้หลากหลายในแอพพลิเคชั่นต่างๆตามที่ระบุไว้ในข้อมูลต่อไปนี้:

การกำหนดค่าแอปพลิเคชันทั่วไปโดยใช้ IC สามารถดูได้ด้านล่าง:

การกำหนดค่าวงจรแอปพลิเคชัน

แหล่งจ่ายอินพุต + ติดมาพร้อมกับ VDD ตัวเก็บประจุแบบปรับให้เรียบอาจเชื่อมต่อข้ามและ VDD และกราวด์และข้าม VDDUNTREGD และกราวด์เพื่อการทำงานที่เชื่อถือได้มากขึ้นของชิป

ค่าความจุของ COLIN ที่ผลิตบนพิน CLIN จะแก้ไขอัตราการสุ่มตัวอย่างได้อย่างมีประสิทธิภาพ การเพิ่มอัตราการสุ่มตัวอย่างอาจช่วยเพิ่มเวลาในการตอบสนองของอินพุตการตรวจจับด้วยการเพิ่มขึ้นตามสัดส่วนของการบริโภคในปัจจุบัน

แผ่นพร็อกซิมิตีเซนเซอร์

จานรับความรู้สึกแบบ Capacitive Sensing อาจอยู่ในรูปแบบของฟอยล์โลหะขนาดเล็กหรือแผ่นที่หุ้มฉนวนและแยกด้วยชั้นที่ไม่นำไฟฟ้า

พื้นที่ตรวจจับนี้สามารถยกเลิกได้ในระยะทางที่ไกลขึ้นผ่านสายโคแอกเชียล CCABLE ซึ่งปลายอีกด้านหนึ่งอาจเชื่อมโยงกับ IN ของ IC หรือแผ่นสามารถเชื่อมต่อโดยตรงกับ INpinout ของ IC ขึ้นอยู่กับความต้องการของแอปพลิเคชัน

IC มีวงจรกรองความถี่ต่ำภายในซึ่งช่วยยับยั้งการรบกวน RF ทุกรูปแบบที่อาจพยายามเข้าสู่ IC ผ่านขา IN ของ IC

นอกจากนี้ตามที่ระบุในแผนภาพอาจเพิ่มการกำหนดค่าภายนอกโดยใช้ RF และ CF เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในการปราบปราม RF และเสริมสร้างภูมิคุ้มกัน RF สำหรับวงจร

เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพที่ดีที่สุดจากวงจรขอแนะนำว่าผลรวมของค่าความจุของ CSENSE + CCABLE + Cp ควรอยู่ในช่วงที่เหมาะสมซึ่งระดับที่ดีอาจอยู่ที่ประมาณ 30pF

สิ่งนี้ช่วยให้ลูปควบคุมทำงานได้ดีขึ้นด้วยความจุคงที่มากกว่า CSENSE สำหรับการปรับสมดุลการโต้ตอบที่ค่อนข้างช้ากว่าบนจานเก็บประจุแบบตรวจจับ

ได้รับอินพุต Capacitive ที่เพิ่มขึ้น

เพื่อให้ได้ระดับอินพุต capacitive ที่เพิ่มขึ้นขอแนะนำให้รวมตัวต้านทานเสริม Rc ตามที่ระบุไว้ในแผนภาพซึ่งช่วยในการควบคุมเวลาในการคายประจุตามข้อกำหนดข้อกำหนดด้านเวลาภายใน

พื้นที่หน้าตัดของแผ่นตรวจจับที่แนบมาหรือฟอยล์ตรวจจับจะกลายเป็นสัดส่วนโดยตรงกับความไวของวงจรร่วมกับค่าของ Ccpc ของตัวเก็บประจุการลดค่า Ccpc อาจส่งผลต่อความไวของแผ่นตรวจจับได้อย่างมาก ดังนั้นเพื่อให้บรรลุจำนวนความไวที่มีประสิทธิภาพ Ccpc สามารถเพิ่มขึ้นอย่างเหมาะสมและเหมาะสม

CPC ที่ทำเครื่องหมาย Pinout นั้นมีสาเหตุมาจากภายในด้วยอิมพีแดนซ์สูงดังนั้นจึงอาจเสี่ยงต่อกระแสรั่วได้

ตรวจสอบให้แน่ใจว่าได้เลือก Ccpc ด้วยตัวเก็บประจุชนิด MKT คุณภาพสูงหรือประเภท X7R เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพสูงสุดจากการออกแบบ

ทำงานที่อุณหภูมิต่ำ

ในกรณีที่ระบบตั้งใจให้ทำงานด้วยความจุอินพุตที่ จำกัด ไม่เกิน 35pF และที่อุณหภูมิเยือกแข็ง -20 องศา C อาจแนะนำให้ลดแรงดันไฟฟ้าลงที่ IC ให้เหลือประมาณ 2.8V สิ่งนี้จะลดช่วงการทำงานของแรงดันไฟฟ้า Vlicpc ซึ่งมีข้อกำหนดอยู่ระหว่าง 0.6V ถึง VDD - 0.3V

ยิ่งไปกว่านั้นการลดช่วงการทำงานของ Vucpc อาจส่งผลให้ช่วงความจุอินพุตของวงจรลดลงตามสัดส่วน

นอกจากนี้เราอาจสังเกตเห็นว่าเมื่อค่า Vucpc เพิ่มขึ้นตามอุณหภูมิที่ลดลงดังแสดงในแผนภาพซึ่งจะบอกเราว่าเหตุใดการลดแรงดันไฟฟ้าอย่างเหมาะสมจึงช่วยให้อุณหภูมิลดลง