โพสต์ต่อไปนี้อธิบายถึงคุณสมบัติหลักของ mosfet IRF3205 ซึ่งได้รับการจัดอันดับโดยพื้นฐานด้วยกระแสระบายที่ 110 แอมป์ขนาดใหญ่และแรงดันไฟฟ้าสูงถึง 55V เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานอินเวอร์เตอร์การควบคุมมอเตอร์ตัวสับและตัวแปลง

คุณสมบัติหลัก

IRF3205 N-Channel HEXFET® Power MOSFET ระดับแนวหน้าจาก International Rectifier ใช้โซลูชันการประมวลผลไฮเทคเพื่อให้ได้ความต้านทานต่อการต้านทานน้อยที่สุดต่อพื้นที่ซิลิกอน

ข้อได้เปรียบนี้พร้อมกับอัตราการแปลงที่รวดเร็วและการจัดวางระบบที่ทนทานซึ่ง MOSFET พลังงานของ HEXFET เป็นที่นิยมทำให้นักพัฒนามีผลิตภัณฑ์ที่ประหยัดต้นทุนและเชื่อถือได้เป็นพิเศษเพื่อใช้ในโปรแกรมต่างๆ

TO-220 บันเดิลเป็นที่นิยมทั่วโลกสำหรับวัตถุประสงค์เชิงพาณิชย์ - อุตสาหกรรมส่วนใหญ่ในขั้นตอนการกระจายกำลังไฟฟ้าถึงประมาณ 50 วัตต์ ความต้านทานความร้อนที่น้อยที่สุดและราคาแพ็คเก็ตที่ลดลงของ TO-220 มีบทบาทต่อการยอมรับอย่างกว้างขวางทั่วทั้งตลาด

ข้อกำหนดทางเทคนิค

ข้อกำหนดทางเทคนิคอาจเข้าใจได้ด้วยข้อมูลต่อไปนี้:

กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง VGS @ 10V = 110 A
กระแสไฟเดรนแบบพัลซิ่ง = 390 A
ที่ 25 ° C กำลังงานสูญเสีย = 200 W.
Linear Derating Factor = 1.3 W / ° C
แรงดันไฟฟ้าจากประตูสู่ต้นทาง = ± 20 V
กระแสหิมะถล่ม = 62 A
พลังงานถล่มซ้ำ = 20 mJdv / dt
การกู้คืนไดโอดสูงสุด dv / dt = 5.0 V / ns
จุดเชื่อมต่อการทำงานและอุณหภูมิการบัดกรีเป็นเวลา 10 วินาที = 300 (1.6 มม. จากเคส) ° C คุณอาจอ้างถึง เอกสารข้อมูลต้นฉบับ สำหรับข้อมูลเพิ่มเติม

รายละเอียด Pinout

รายละเอียดที่น่าสนใจของ mosfet IRF3205 สามารถดูได้จากภาพด้านล่าง:

ถืออุปกรณ์ตรงโดยให้ด้านที่พิมพ์หันเข้าหาคุณหมุดด้านซ้ายจะเป็นประตูตรงกลางจะเป็นท่อระบายน้ำในขณะที่หมุดด้านขวาจะเป็นแหล่งที่มาของ mosfet

“ตัวแปลงสัญญาณมีลักษณะอย่างไร ”

แอปพลิเคชันทั่วไป

การสร้างอินเวอร์เตอร์ 500 ถึง 5,000 วัตต์แบบง่ายๆโดยใช้มอสเฟ็ท IRF3205

อินเวอร์เตอร์ขนาดห้าสิบวัตต์ที่กล่าวถึงในโพสต์ก่อนหน้าของฉันสามารถเปลี่ยนเป็นอินเวอร์เตอร์ขนาดใหญ่ 500 วัตต์ได้อย่างง่ายดายเพียงแค่เปลี่ยน MOSFET ตามประเภทข้างต้น