วงจรขยายกำลังขับ MOSFET Class A เดี่ยว

โพสต์กล่าวถึงวงจรเครื่องขยายเสียง MOSFET คลาส A แบบง่ายและราคาถูกซึ่งสามารถใช้กับแอปพลิเคชันเครื่องขยายเสียงขนาดเล็กได้

โดย: Dhrubajyoti Biswas

เครื่องขยายเสียงตอบรับเชิงลบเป็นศูนย์

ข้อมูลต่อไปนี้จะให้รายละเอียดเกี่ยวกับวิธีการสร้างเครื่องขยายเสียงที่มีผลตอบรับเชิงลบเป็นศูนย์ซึ่งหมายถึงการสร้างเครื่องขยายสัญญาณที่เป็นศูนย์ เครื่องขยายเสียงจะเป็นแบบ single-end และ Class A

ในการเริ่มต้นให้เราวางการออกแบบวงจรของเครื่องขยายเสียงที่เสนอก่อนตามที่ระบุไว้ใน:

วิธีการสร้างวงจร

ในการสร้างวงจรที่เราต้องการ: มอสเฟต ตัวเก็บประจุและตัวต้านทานบางตัวและแหล่งจ่ายไฟที่ทนทานซึ่งต้องได้รับการกรองอย่างเหมาะสมโดยใช้ตัวเก็บประจุกรองขนาดใหญ่ แอมพลิฟายเออร์ที่เรากำลังสร้างสร้างขึ้นโดยการรวมอุปกรณ์ 2SK1058 N-Channel MOSFET จาก Hitachi แผนภาพพินแสดงไว้ด้านล่าง:

คาปาซิเตอร์ที่เราใช้ในการทดลองนี้คือของ Sprague ใช้เพื่อจับคู่อินพุตและเอาต์พุตอิเล็กโทรไลต์ขนาดใหญ่พร้อมกับตัวเก็บประจุบายพาสโพลีเอสเตอร์ 10µF ในการจัดการโหลดเราใช้ตัวต้านทานแบบแผลลวดแบบไม่เหนี่ยวนำขนาด 10W สี่ตัว

อย่างไรก็ตามเพื่อให้ได้ความต้านทานรวม 15 โอห์มไฟล์ ตัวต้านทานมีสาย ในชุดสองชุดซึ่งทำให้ 30 โอห์มและยิ่งไปกว่านั้นการตั้งค่าชุดแบบขนาน โปรดทราบว่าอุปกรณ์จะร้อนและไวต่อการลุกไหม้ระหว่างโหมดไม่ได้ใช้งานดังนั้นข้อควรระวังจึงเป็นสิ่งสำคัญที่สุด

คลาส -A ไม่สามารถเป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับการออกแบบเครื่องขยายเสียงที่มีประสิทธิภาพสูงได้ แต่ในขณะที่เราใช้แนวคิดนี้ในการตั้งค่านี้เราต้องใช้กำลังไฟมากกว่า 20 วัตต์เพื่อสร้างเครื่องขยายเสียง เสียง 4.8 วัตต์ . ฮีตซิงก์ที่ใช้สำหรับ mosfet อยู่ที่ 0.784 ° C / W

พาวเวอร์ซัพพลาย

แหล่งจ่ายไฟที่ใช้สำหรับ MOSFET คลาส A เดียวนี้ เครื่องขยายเสียง วงจรเป็นหม้อแปลง EI 18VAC และ 160VA ที่ต่อกับวงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ 25 แอมป์เพื่อสร้างพลังงาน DC 24 โวลต์

ถึง กรองและเรียบ กำลังที่เราใช้ตัวเก็บประจุ 10,000µF และแฮมมอนด์ทำให้โช้ก 10mH ที่ 5 แอมป์เหนือการตั้งค่าตัวกรอง pi [Cap - Choke - Cap] อคติผ่านหม้อ 100K พร้อมกับตัวต้านทาน 1M

ควรใช้ความระมัดระวังในการปรับหม้อให้นานที่สุดเท่าที่ครึ่งหนึ่งของ DC มาเกินตัวต้านทานโหลดและ MOSFET