โดยทั่วไปประเภทต่างๆ ชิ้นส่วนไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์ เช่นทรานซิสเตอร์ วงจรรวม ใช้ไมโครคอนโทรลเลอร์หม้อแปลงตัวควบคุมมอเตอร์อุปกรณ์เชื่อมต่อโมดูลและส่วนประกอบพื้นฐาน (ตามข้อกำหนด) เพื่อออกแบบโครงการไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์ที่แตกต่างกัน จำเป็นอย่างยิ่งที่ต้องทราบเกี่ยวกับการทำงานของแต่ละส่วนประกอบก่อนที่จะนำไปใช้งานจริงในวงจร เป็นเรื่องท้าทายมากที่จะพูดคุยในรายละเอียดเกี่ยวกับไฟล์ ส่วนประกอบที่สำคัญของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ในบทความเดียว ดังนั้นให้เราพูดคุยในรายละเอียดเกี่ยวกับทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ฟิลด์ทางแยกลักษณะ JFET และการทำงานของมัน แต่โดยพื้นฐานแล้วเราต้องรู้ว่าทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามคืออะไร

ทรานซิสเตอร์สนามเอฟเฟกต์

ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์โซลิดสเตทการเปลี่ยนแปลงครั้งใหม่เกิดขึ้นจากการประดิษฐ์ทรานซิสเตอร์และได้มาจากตัวต้านทานการถ่ายโอนคำ จากชื่อตัวเองเราสามารถเข้าใจวิธีการทำงานของทรานซิสเตอร์เช่นตัวต้านทานการถ่ายโอน ทรานซิสเตอร์แบ่งออกเป็นประเภทต่างๆเช่นก ทรานซิสเตอร์สนามผล ทรานซิสเตอร์ขั้วต่อสองขั้วและอื่น ๆ

ทรานซิสเตอร์สนามเอฟเฟกต์

ทรานซิสเตอร์สนามเอฟเฟกต์ (FET) มักเรียกว่าทรานซิสเตอร์แบบยูนิโพลาร์เนื่องจากการทำงานของ FET เหล่านี้เกี่ยวข้องกับประเภทพาหะเดียว ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์แบ่งออกเป็นประเภทต่างๆเช่นมอสเฟต JFET DGMOSFET FREDFET HIGFET QFET และอื่น ๆ แต่โดยทั่วไปจะใช้เฉพาะ MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) และ JFETs (Junction Field Effect Transistors) เท่านั้นที่ใช้ในการใช้งานส่วนใหญ่ ดังนั้นก่อนที่จะพูดคุยในรายละเอียดเกี่ยวกับทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ฟิลด์ทางแยกส่วนใหญ่เราต้องรู้ว่า JFET คืออะไร

Junction Field Effect ทรานซิสเตอร์

ดังที่เราได้กล่าวไปก่อนหน้านี้ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ฟิลด์ทางแยกเป็น FET ชนิดหนึ่งซึ่งใช้เป็นสวิตช์ที่สามารถควบคุมด้วยไฟฟ้าได้ ผ่านช่องสัญญาณที่ใช้งานอยู่พลังงานไฟฟ้าจะไหลจากระหว่างขั้วต้นทางและขั้วท่อระบายน้ำ หากเทอร์มินัลประตูมีแรงดันไบอัสย้อนกลับการไหลของกระแสจะถูกปิดโดยสมบูรณ์และช่องจะถูกทำให้ตึง โดยทั่วไปทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ฟิลด์ทางแยกแบ่งออกเป็นสองประเภทตามขั้วของพวกมันและ ได้แก่ :

ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ฟิลด์ทางแยก N-Channel
ทรานซิสเตอร์สนามผลทางแยก P-Channel

N-Channel Junction Field Effect ทรานซิสเตอร์

N-Channel JFET

JFET ซึ่งอิเล็กตรอนส่วนใหญ่ประกอบขึ้นเป็นตัวพาประจุเรียกว่า N-channel JFET ดังนั้นหากทรานซิสเตอร์เปิดอยู่เราสามารถพูดได้ว่าการไหลของกระแสเป็นหลักเนื่องจาก การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอน .

P-Channel Junction Field Effect ทรานซิสเตอร์

P-Channel JFET

“เรดาร์ทำงานอย่างไร ”

JFET ซึ่งรูประกอบหลักเป็นตัวพาประจุเรียกว่า P-channel JFET ดังนั้นถ้าทรานซิสเตอร์เปิดอยู่เราสามารถพูดได้ว่าการไหลของกระแสเป็นเพราะรูเป็นหลัก

การทำงานของ JFET

การทำงานของ JFET สามารถศึกษาแยกกันสำหรับทั้ง N-channel และ P-channel

การทำงานของ N-Channel ของ JFET

การทำงานของ JFET สามารถอธิบายได้โดยการพูดคุยเกี่ยวกับวิธีการเปิด N-channel JFET และวิธีปิด N-channel JFET สำหรับการเปิด JFET N-channel จะต้องใช้แรงดันไฟฟ้าบวกของ VDD กับขั้วท่อระบายน้ำของทรานซิสเตอร์ w.r.t (เกี่ยวกับ) ขั้วต้นทางเพื่อให้ขั้วท่อระบายต้องเป็นบวกมากกว่าขั้วต้นทาง ดังนั้นการไหลของกระแสจึงได้รับอนุญาตผ่านท่อระบายน้ำไปยังช่องต้นทาง หากแรงดันไฟฟ้าที่ขั้วประตู VGG คือ 0V จะมีกระแสไฟฟ้าสูงสุดที่ขั้วท่อระบายน้ำและ N-channel JFET จะอยู่ในสภาพ ON

การทำงานของ N-Channel ของ JFET

สำหรับการปิด JFET N-channel คุณสามารถปิดแรงดันไบอัสบวกหรือใช้แรงดันไฟฟ้าลบกับขั้วประตูได้ ดังนั้นโดยการเปลี่ยนขั้วของแรงดันเกตทำให้กระแสท่อระบายน้ำลดลงได้จากนั้น N-channel JFET จะถูกกล่าวว่าอยู่ในสภาพ OFF

P-Channel การทำงานของ JFET

สำหรับการเปิด P-channel JFET สามารถใช้แรงดันไฟฟ้าลบกับขั้วท่อระบายน้ำของทรานซิสเตอร์กับขั้วต้นทาง w.r.t เพื่อให้ขั้วท่อระบายน้ำต้องมีค่าลบมากกว่าขั้วต้นทางอย่างเหมาะสม ดังนั้นจึงอนุญาตให้ไหลผ่านท่อระบายน้ำไปยังช่องต้นทาง ถ้า แรงดันไฟฟ้าที่ขั้วประตู , VGG คือ 0V จากนั้นจะมีกระแสไฟฟ้าสูงสุดที่ขั้วท่อระบายน้ำและ P-channel JFET จะอยู่ในสภาพ ON

P-Channel การทำงานของ JFET

สำหรับการปิด P-channel JFET สามารถปิดแรงดันไบอัสลบหรือใช้แรงดันไฟฟ้าบวกกับขั้วเกตได้ หากเทอร์มินัลประตูได้รับแรงดันไฟฟ้าบวกกระแสท่อระบายน้ำจะเริ่มลดลง (จนถึงจุดตัด) ดังนั้น P-channel JFET จึงอยู่ในสภาพ OFF

ลักษณะ JFET

คุณสมบัติของ JFET สามารถศึกษาได้ทั้ง N-channel และ P-channel ตามที่กล่าวไว้ด้านล่าง:

“วงจรจ่ายไฟ 3 โวลต์ ”

ลักษณะ N-Channel JFET

ลักษณะ N-channel JFET หรือเส้นโค้งการแปลงกระแสไฟฟ้าแสดงไว้ในรูปด้านล่างซึ่งเป็นกราฟระหว่างกระแสระบายและแรงดันไฟฟ้าประตูแหล่งกำเนิด มีหลายภูมิภาคในเส้นโค้งการถ่ายเทความร้อนและภูมิภาคเหล่านี้ ได้แก่ โอห์มมิก, ความอิ่มตัว, จุดตัดและขอบเขตการสลาย

ลักษณะ N-Channel JFET

ภาค Ohmic
พื้นที่เดียวที่เส้นโค้งการถ่ายเทความร้อนแสดงการตอบสนองเชิงเส้นและกระแสระบายตรงข้ามกับความต้านทานของทรานซิสเตอร์ JFET เรียกว่าภูมิภาคโอห์ม
ภาคความอิ่มตัว
ในพื้นที่อิ่มตัวทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ฟิลด์จุดเชื่อมต่อ N-channel อยู่ในสภาพ ON และแอ็คทีฟเนื่องจากกระแสสูงสุดไหลเนื่องจากใช้แรงดันเกต - ซอร์ส
ภาคตัด
ในพื้นที่ตัดนี้จะไม่มีกระแสระบายไหลดังนั้น N-channel JFET จึงอยู่ในสภาพ OFF
ภาคแยกย่อย
หากแรงดันไฟฟ้า VDD ที่ใช้กับขั้วท่อระบายน้ำเกินแรงดันไฟฟ้าสูงสุดที่จำเป็นแสดงว่าทรานซิสเตอร์ไม่สามารถต้านทานกระแสได้ดังนั้นกระแสจึงไหลจากขั้วท่อระบายน้ำไปยังขั้วต้นทาง ดังนั้นทรานซิสเตอร์จึงเข้าสู่ขอบเขตการสลาย

ลักษณะ P-Channel JFET

ลักษณะ P-channel JFET หรือเส้นโค้งทรานส์คอนดัคแตนซ์แสดงในรูปด้านล่างซึ่งเป็นกราฟระหว่างกระแสระบายและแรงดันเกต - ซอร์ส มีหลายภูมิภาคในเส้นโค้งการถ่ายเทความร้อนและภูมิภาคเหล่านี้ ได้แก่ โอห์มมิก, ความอิ่มตัว, จุดตัดและขอบเขตการสลาย

ลักษณะ P-Channel JFET

ภาค Ohmic
พื้นที่เดียวที่เส้นโค้งการถ่ายเทความร้อนแสดงการตอบสนองเชิงเส้นและกระแสระบายตรงข้ามกับความต้านทานของทรานซิสเตอร์ JFET เรียกว่าภูมิภาคโอห์ม
ภาคความอิ่มตัว
ในพื้นที่อิ่มตัวทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ฟิลด์จุดเชื่อมต่อ N-channel อยู่ในสภาพ ON และแอ็คทีฟเนื่องจากกระแสสูงสุดไหลเนื่องจากใช้แรงดันเกต - ซอร์ส
ภาคตัด
ในพื้นที่ตัดนี้จะไม่มีกระแสระบายไหลดังนั้น N-channel JFET จึงอยู่ในสภาพ OFF
ภาคแยกย่อย
หากแรงดันไฟฟ้า VDD ที่ใช้กับเทอร์มินัลท่อระบายน้ำเกินแรงดันไฟฟ้าสูงสุดที่จำเป็นแสดงว่าทรานซิสเตอร์ไม่สามารถต้านทานกระแสได้ดังนั้นกระแสจะไหลจากขั้วท่อระบายน้ำไปยังขั้วต้นทาง ดังนั้นทรานซิสเตอร์จึงเข้าสู่ขอบเขตการสลาย

คุณต้องการทราบการใช้งานจริงของทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามแยกในการออกแบบหรือไม่ โครงการอิเล็กทรอนิกส์ เหรอ? จากนั้นโพสต์ความคิดเห็นของคุณในส่วนความคิดเห็นด้านล่างเพื่อขอความช่วยเหลือทางเทคนิคเพิ่มเติม